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Automatisierte parametrische Tests von Leistungshalbleitern, einschl. Halbleiter mit großer Bandlücke (SiC, GaN) | Tektronix

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Tektronix Lösungen Leistungs- und Energieeffizienz Automatisierte parametrische Tests von Leistungshalbleitern, einschl. Halbleiter mit großer Bandlücke (SiC, GaN) Automatisierte parametrische Tests von Leistungshalbleitern, einschl. Halbleiter mit großer Bandlücke (SiC, GaN) Vollautomatische Hochspannungstests auf Wafer-Ebene Erhöhung des Durchsatzes, Reduzierung der Testkosten Niedrigere Testkosten, höherer Durchsatz Herkömmliche Testsysteme für WLR, PCM und Die-Sort haben nicht den dynamischen Messbereich oder die Auflösung, um die neuen Effizienzanforderungen (höhere Spannung, niedrigerer Leckstrom, niedrigerer Einschaltwiderstand) zu erfüllen. Oder es ist eine zeitaufwändige manuelle Neukonfiguration erforderlich, um zwischen Nieder- und Hochspannungstests zu wechseln. Um die Produktivitätsziele Ihres Herstellungsbetriebs zu erfüllen, können Sie es sich nicht länger leisten, manuell zwischen zwei separaten Testsystemen für Nieder- und Hochspannungstests hin- und herzuwechseln. Nur Keithley kann vollautomatische Tests auf Wafer-Ebene von bis zu 3 kV in einem einzigen festen Prüfanschluss durchführen.

Lesen Sie mehr über Trends bei der Energieeffizienz

Erfahren Sie, wie es geht: Wechseln Sie von Hoch- zu Niederspannung , ohne den Prüfaufbau zu verändern Messung der Kapazität ohne manuelle Neukonfiguration Schnelle Automatisierung Wechseln Sie von Hoch- zu Niederspannung, ohne den Prüfaufbau zu verändern. Führen Sie alle Hoch- und Niederspannungstests in einem einzigen Durchgang durch, ohne die Geräte oder den Prüfaufbau zu ändern. Kombinieren Sie die 3-kv-Spannungsquelle mit einer Sub-Picoampere-Messauflösung. Damit muss der Prüfaufbau nicht neu konfiguriert werden und es müssen nicht zwei separate Testsysteme verwendet werden, wenn Sie von Durchschlagtests mit hoher Spannung zu Tests mit niedriger Spannung wechseln. Reduzieren Sie Verbindungsprobleme, die auf manuelle Verkabelung und Abtastung zurückzuführen sind. Reduzieren Sie unberechtigte Ausfälle durch zuverlässige Messungen. Sie können sich problemlos auf die Messergebnisse verlassen, um die Prozessparameter zu optimieren.

Hochspannungs-Wafertests im Fertigungsbereich

Weitere Informationen zum parametrischen Testsystem S540

In diesem Durchschlagspannungstest wird die Spannung mit zwei verschiedenen Rampenraten (20 ms und 100 ms pro Schritt) auf 1800 V schrittweise erhöht. Die höhere Anstiegsrate (kürzere Verzögerungszeit) erhöhte den Messstrom von 100 pA auf 1 nA. Bei der höheren Anstiegsrate kann der größte Teil des Stroms als Verschiebungsstrom (~ 1 nA) bezeichnet werden.

Messung der Kapazität ohne manuelle Neukonfiguration Automatisierung aller Kapazitätstests, einschließlich komplexer 3-poliger Messungen Vollautomatische 2- oder 3-polige Transistorkapazitätsmessungen zur schnellen Beurteilung von Umschalteigenschaften wie Geschwindigkeit, Energie und Ladung mit der Hochspannungs-Umschaltmatrix von Keithley.

Hochspannungs-Wafertests im Fertigungsbereich

Weitere Informationen zum parametrischen Testsystem S540

Durchführung von Transistorkapazitätsmessungen
wie Ciss, Coss und Crss bis 3 kV ohne manuelle Neukonfiguration der Testanschlüsse

Schnelle Automatisierung

Empfindlichkeit im Vergleich zur typischen Ausführungszeit eines Messvorgangs (connect-force-measure) für verschiedene Stromstärken

Minimierung von Prüfzeiten, Maximierung des Prüfdurchsatzes und Reduzierung von Prüfkosten mit der Test Script Processing Technologie (TSP) und der virtuellen Backplane (TSP-Link) von Keithley – diese ermöglicht extrem schnelle Triggerung, Timing und Synchronisierung zwischen allen Elementen des Systems.

Erzielung maximalen Durchsatzes mit den parametrischen Testsystemen S530 von Keithley

Weitere Informationen zum parametrischen Testsystem S530

Ausgewählte Inhalte Hochspannungs-Wafertests im Fertigungsbereich Application Note In dieser Application Note werden verschiedene Messtechniken und -methoden erläutert, die eine automatische HV-Charakterisierung auf Wafer-Ebene an mehreren Pins ermöglicht. Dabei wird die Messgenauigkeit bei niedriger Spannung bzw. der Durchsatz nicht beeinträchtigt. Zudem werden Ergebnisse und Erfahrungen auf dem Gebiet der HV-Prüfung auf Wafer-Ebene mitgeteilt.

JETZT HERUNTERLADEN Erzielung maximalen Durchsatzes bei parametrischen Tests Application Note In dieser Application Note werden aktuelle Entwicklungen in der Geschwindigkeitsoptimierung von Systemtests behandelt. Zudem enthält er allgemeine Richtlinien zur Optimierung der Prüfgeschwindigkeit sowohl auf Systemebene als auch der einzelnen Messalgorithmen.

JETZT HERUNTERLADEN Komplette parametrische Prüfungen von bis zu 3 kV in einem Durchgang S540

Das System 540 ist ein voll automatisiertes parametrisches 48-Pin-Testsystem für Wafer-Level-Tests an Leistungshalbleiterbauelementen und -strukturen bis 3 kV.

Optimiert für die Verwendung mit den neuesten Verbundmaterialien einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Volle Integration – somit lassen sich Hochspannungs-, Niederspannungs- und Kapazitätstests in einem einzigen festen Prüfanschluss durchführen. WEITERE INFORMATIONEN

Testen Sie mit höherer Messgenauigkeit und Signaltreue S530

Parametrische Testsysteme S530 sind für Produktions- und Laborumgebungen mit einer breiten Palette von Geräten und Technologien bestimmt und bieten branchenführende Prüfplanflexibilität, Automatisierung, Nadelmessplatz-Integration und Funktionen zur Prüfdatenverwaltung.

Problemlos anpassbar an neue Geräte und Prüfanforderungen Schnelle, flexible, interaktive Prüfplanentwicklung Kompatibel mit gängigen vollautomatischen Nadelmessplätzen Optionen für 1 kV, C-V, Impulsgenerierung, Frequenzmessungen und Niederspannungsmessungen WEITERE INFORMATIONEN

Sie stehen vor Herausforderungen in anderen Leistungsanalyse-Anwendungen? Charakterisierung der Leistungshalbleiter Charakterisierung und Fehlerbehandlung in Schaltungen zur Leistungsumwandlung Maximieren der Akku-Lebensdauer in IoT-Geräten Technical Documents Videos Title MOSFET Testing System Flyer Learn more about integrated measurement systems for comprehensive characterization of power MOSFETs and other devices. Keithley Parametric Curve Tracer (PCT) systems offer a complete solution for high … Making Microsecond Pulse and AC Measurements with the S530 Parametric Test System by Integrating 4200A-SCS Parameter Analyzer Applications This application note describes how to generate microsecond pulsed I-V sweeps and tests, as well as make AC impedance measurements, with the S530 Parametric Test System by calling built-in user … Filtern nach Alle Video Multimedia Fallstudie Produktneuheiten Produktdemo Branchenvergleich Produktmerkmale Kundenmeinungen Vorgehensweise Übernehmen

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