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광대역 밴드갭(SiC, GaN)을 포함한 전력 반도체의 자동 파라메트릭 테스트 | Tektronix

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Tektronix 솔루션 전력 효율성 광대역 밴드갭(SiC, GaN)을 포함한 전력 반도체의 자동 파라메트릭 테스트 광대역 밴드갭(SiC, GaN)을 포함한 전력 반도체의 자동 파라메트릭 테스트 전자동 HV 웨이퍼 레벨 테스트 처리량 증가, 테스트 비용 절감 테스트 비용 절감, 처리량 증가 WLR, PCM 및 Die-Sort에 사용되는 기존 테스트 시스템에는 새로운 효율성 요구 사항(보다 높은 전압, 보다 낮은 누설 전류, 보다 낮은 활성 저항)을 충족하는 해상도 또는 측정 동적 범위가 없거나 저전압 테스트와 고전압 테스트 간에 전환하기 위해 수동으로 재구성해야 하는 불필요한 시간이 소요됩니다. 이제 더 이상 제조 환경의 생산성 목표를 달성하기 위해 더 이상 저전압 테스트용 테스트 시스템과 고전압 테스트용 테스트 시스템 간에 수동으로 전환할 필요가 없습니다. Keithley만 단일 프로브 터치다운으로 최대 3kV까지 전자동 웨이퍼 레벨 테스트를 수행할 수 있습니다.

전력 효율성의 트랜드에 대해 자세히 알아보기

방법 알아보기: 테스트 설정을 변경하지 않고도 고전압에서 저전압으로 전환 수동 재구성 없이 커패시턴스 측정 빠른 자동화 테스트 설정을 변경하지 않고도 고전압에서 저전압으로 전환할 수 있습니다. 장비 또는 테스트 설정을 변경하지 않고 단일 패스로 모든 고전압 및 저전압 테스트를 수행합니다. 전체 3kV 소싱 기능과 pA 이하 단위 측정 해상도가 결합되어 있으므로 고전압에서 저전압 브레이크다운 테스트로 전환할 때 테스트 설정을 재구성하거나 두 가지 별도의 테스트 시스템을 사용할 필요가 없습니다. 수동 케이블링 및 프로빙으로 인한 연결 문제가 최소화됩니다. 측정 품질이 뛰어나므로 실패가 줄어듭니다. 안전하게 테스트 결과에 의존하여 제조 공정 파라미터를 조정하므로 수율이 극대화됩니다.

생산 환경에서의 고전압 웨이퍼 테스트

S540 파라메트릭 테스트 시스템에 대해 자세히 알아보기

이 브레이크다운 테스트에서는 두 가지 램프 속도(단계당 20ms 및 100ms)로 전압이 1800V까지 상승합니다. 높은 램프 속도(느린 지연 시간)는 측정 전류를 100pA에서 1nA로 증가시킵니다. 높은 램프 속도에서는 대부분의 전류가 변위 전류(~1nA)입니다.

수동 재구성 없이 커패시턴스 측정 복잡한 3단자 측정을 포함하여 모든 커패시턴스 테스트를 자동화합니다. 2단자 또는 3단자 트랜지스터 커패시턴스 측정을 완전히 자동화하여 Keithley의 고전압 스위칭 매트릭스를 통해 속도, 에너지, 전하 등의 스위칭 특성을 빠르게 평가합니다.

생산 환경에서의 고전압 웨이퍼 테스트

S540 파라메트릭 테스트 시스템에 대해 자세히 알아보기

테스트 핀의 수동 재구성 없이 최대 3kV에서
Ciss, Coss 및 Crss와 같은 트랜지스터 커패시턴스 측정 수행합니다.

빠른 자동화

디퍼런셜 전류 레벨의 연결-포스-측정에 대한 감도 vs 일반 실행 시간

Keithley의 TSP(테스트 스크립트 처리) 기술과 모든 시스템 요소 간의 동기화, 고속 트리거링 및 타이밍을 지원하는 가상 백플레인(TSP-Link)을 통해 테스트 시간을 최소화하고, 테스트 처리량을 극대화하며, 테스트 비용을 절감합니다.

Keithley S530 파라메트릭 테스트 시스템으로 최대 처리량 달성하기

S530 파라메트릭 테스트 시스템에 대해 자세히 알아보기

주요 콘텐츠 생산 환경에서의 고전압 웨이퍼 테스트 애플리케이션 노트 이 애플리케이션 노트에서는 저전압 성능 또는 처리량 저하 없이 여러 핀에서 자동화된 HV 웨이퍼 레벨 특성화를 지원하는 다양한 측정 기법 및 접근 방식을 살펴보고, 새로운 HV 웨이퍼 레벨 테스트 분야의 경험과 결과를 공유합니다.

지금 다운로드 최대 파라메트릭 테스트 처리량 달성하기 애플리케이션 노트 이 애플리케이션 노트에서는 시스템 테스트 속도 최적화의 최근 발전 사항을 설명하고, 시스템 및 특정 테스트 알고리즘 레벨에서 테스트 속도 최적화를 위한 일반적인 지침을 제공합니다.

지금 다운로드 최대 3kV까지 완벽한 단일 패스 파라메트릭 테스트 S540

540 파라메트릭 테스트 시스템은 최대 3kV의 전력 반도체 장치 및 구조에 대해 웨이퍼 레벨 테스트를 수행하기 위한 전자동 48핀 파라메트릭 테스트 시스템입니다.

탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN)을 비롯한 최신 복합 전 반도체 재료와 함께 사용하도록 최적화되어 있습니다. 단일 프로브 터치다운으로 모든 고전압, 저전압 및 커패시턴스 테스트를 수행하도록 완전히 통합되어 있습니다. 자세히 보기

더 높은 정확도 및 충실도로 테스트 S530

S530 파라메트릭 테스트 시스템은 광범위한 장치와 기술을 처리해야 하는 생산 및 실험실 환경용으로 설계되었으며 업계 최고 레벨의 유동적인 테스트 플랜(test plan), 자동화, 프로브 스테이션(probe station) 통합 및 테스트 데이터 관리 기능을 제공합니다.

새 장치 및 테스트 요구 사항에 따라 즉시 적응 가능합니다. 빠르고 유동적인 대화형 방식으로 테스트 계획을 개발할 수 있습니다. 널리 사용되는 완전 자동 프로브 스테이션과 호환됩니다. 1kV, C-V, 펄스 발생, 주파수 측정 및 저전압 측정용 옵션이 제공됩니다. 자세히 보기

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