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半導体のウエハ検査｜パワー半導体 | テクトロニクス

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テクトロニクス ソリューション 電力効率 半導体のウエハ検査｜パワー半導体 半導体のウエハ検査｜パワー半導体 半導体のウエハ検査｜パワー半導体 スループットを上げ、テストのコストを軽減する 低コストのテストで、高スループットを実現 WLR、PCM、ダイソートに使用される従来のテスト・システムには、新しい効率要件（高電圧、低リーク電流、低オン抵抗）に対応するための測定ダイナミック・レンジまたは分解能を備えていないか、低電圧テストと高電圧テストを切り替えるために時間のかかる手作業による再構成が必要です。ファブの生産目標を達成するために、低電圧テストと高電圧テスト用の2つの異なるテスト・システムを手動で切り替える必要はなくなりました。1回のプローブ・タッチダウンで最大3kVのウエハ・レベルの完全自動テストを実行できるのはケースレーだけです。

電力効率の最新動向の詳細

詳細をご覧ください。 テスト・セットアップを変更せずに高電圧から低電圧 に移行する 手動による再構成を行わずにキャパシタンスを測定する 高速自動化 テスト・セットアップを変更せずに高電圧から低電圧に移行します。 機器またはテスト・セットアップを変更せずに、1回のパスで高電圧と低電圧のすべてのテストを実行します。完全な3kVソーシング機能とサブpA測定分解能とを組み合わせることにより、高電圧ブレークダウン・テストから低電圧ブレークダウン・テストに移行する際、テスト・セットアップを再構成したり、2つの異なるテスト・システムを使用したりする必要がなくなります。手動によるケーブルとプロービングによる接続の問題を最小限に抑えます。高品質の測定を実施して疑似故障を軽減します。製造プロセス・パラメータを調整して生産量を最大化することで、信頼性の高いテスト結果を得ます。

実稼働環境での高電圧ウエハ・テスト

S540型パラメトリック・テスト・システムの詳細

このブレークダウン・テストでは、電圧はステップごとに20msと100msの2つの異なるランプ率で最大1800Vまで上昇します。高ランプ率（遅い遅延時間）では測定電流は100pAから1nAまで上昇しました。高ランプ率では、大半の電流は置換電流（~ 1nA）です。

手動による再構成を行わずにキャパシタンスを測定する 複雑な3端子測定を含む、すべてのキャパシタンス・テストを自動化します。ケースレーの高電圧スイッチ・マトリックスでは、速度、エネルギー、電荷などのスイッチ特性を迅速に評価するために、2端子または3端子のトランジスタ・キャパシタンス測定を完全に自動化します。

実稼働環境での高電圧ウエハ・テスト

S540型パラメトリック・テスト・システムの詳細

テスト・ピンを手動で再構成することなく、
Ciss、Coss、Crssなどのトランジスタ容量を最高3kVまで測定可能

高速自動化

さまざまな電流レベルの接続力測定の感度と標準的な実行時間。

システムのすべての要素間での高速トリガ、タイミング、同期を可能にするケースレーのテスト・スクリプト・プロセッサ（TSP）テクノロジおよび仮想バックプレーン（TSP-Link）を使用して、テスト時間を最小限に抑え、テスト・スループットを最大化し、テストのコストを軽減します。

ケースレーS530型パラメトリック・テスト・システムを使用して最大スループットを実現

S530型パラメトリック・テスト・システムの詳細

半導体ウエハ検査の関連資料 実稼働環境での高電圧ウエハ・テスト アプリケーション・ノート このアプリケーション・ノートは、低電圧の性能やスループットを犠牲にすることなく、複数ピンでのHVウエハ・レベルの自動特性評価を可能にする測定技術やアプローチを調べ、HVウエハレベル・テストの結果と経験を共有します。

今すぐダウンロードする パラメトリック・テストの最大スループットを実現する アプリケーション・ノート このアプリケーション・ノートでは、システム・テストのスピード最適化の最近の進展について説明し、システム・レベルと特定のテスト・アルゴリズム・レベルの両方でのテスト・スピードの最適化に関する一般的なガイドラインを示します。

今すぐダウンロードする 最大3kVの完全な単一パス・パラメータ試験 S540型

540型パラメトリック・テスト・システムは、完全自動、48ピン対応のパラメトリック・テスト・システムであり、最高3kVのパワー半導体デバイスのウエハ・レベルのテストが行えます。

炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）を含む最新の複合パワー半導体材料での使用に最適化 1回のプローブ・タッチダウンで高電圧、低電圧、キャパシタンス・テストをすべて実行できるように完全に統合されています。 詳細情報

優れた確度と信号忠実度 S530型

S530型パラメトリック・テスト・システムは、幅広いデバイスや技術を扱う必要がある製造環境やラボ環境向けに設計されており、テスト・プランの柔軟性、自動化、プローブ・ステーション統合、テスト・データ管理について業界トップクラスの性能を有しています。

新しいデバイスおよびテスト要件への優れた適応性 高速かつ柔軟でインタラクティブなテスト・プラン開発 代表的な全自動プローブ・ステーションに対応 1 kV、C-V、パルス生成、周波数測定、および低電圧測定用のオプション 詳細情報

電源アプリケーションの問題にお悩みですか？ パワー半導体デバイスの特性評価 電力変換設計の特性評価とトラブルシューティング IoTデバイスのバッテリ寿命の最大化 Technical Documents Videos Title MOSFET Testing System Flyer Learn more about integrated measurement systems for comprehensive characterization of power MOSFETs and other devices. Keithley Parametric Curve Tracer (PCT) systems offer a complete solution for high … Making Microsecond Pulse and AC Measurements with the S530 Parametric Test System by Integrating 4200A-SCS Parameter Analyzer Applications This application note describes how to generate microsecond pulsed I-V sweeps and tests, as well as make AC impedance measurements, with the S530 Parametric Test System by calling built-in user … フィルタの選択 すべて Video Multimedia Case Study Product News Product Demo Industry Comparison Product Features Testimonial How-To 適用 半導体ウエハ検査に関するよくある質問 半導体ウエハ検査とは？ 半導体ウエハ検査とは、半導体材料であるウエハ上で、デバイス機能が正しく実現できているかを確認するテストのことです。半導体テストを実施することで、材料やデバイスの質を担保し、コストを削減し、市場投入までの時間を短縮します。

半導体検査装置とは？ 半導体検査装置とは、半導体の製造工程の中で、信頼性や品質などの確保のための検査を行うときに用いられる機器のことです。

半導体テスタとは？ 半導体テスタとは、半導体デバイスを測定・検査する装置のことです。 GaN/SiCを含むパワー半導体技術では、測定性能を最大化し、幅広い製品の組み合わせに対応し、さらにテスト・コストを最小限に抑えるパラメトリック・テストが必要とされています。

テクトロニクスについて

私たちは、計測器のトップ企業として、さらなる機能と性能を求めて、飽くなき挑戦を続けています。テクトロニクスは、複雑さという障壁を打ち破り、グローバルな技術革新を加速化する画期的なテスト／測定ソリューションを設計し、製造しています。

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